1.靜電感應(yīng)的危害
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受靜電感應(yīng)的物體與帶電體完全等價，并有靜電力學(xué)現(xiàn)象和放電現(xiàn)象的發(fā)生，如果感應(yīng)物體的電阻是較小良導(dǎo)體時，還會發(fā)生火花放電而造成危害。
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A、生產(chǎn)操作的車間里。
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高電壓設(shè)備、線路附近，人員在操作焊接、擺弄MOS器件或MOSIC時，由于靜電感應(yīng)，極易引起人體對器件的靜電放電，從而損壞器件。
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B、管道輸送的空調(diào)氣流（離子流）,對人體吹風(fēng)時相當(dāng)于充電，當(dāng)帶電人體接觸敏感器件，靜電放電會擊穿損壞器件。
2.半導(dǎo)體和IC生產(chǎn)線上的靜電及其危害
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①穿著尼龍衣、塑膠基底鞋緩慢在清潔地板上走動，人身會帶7KV-8KV電壓
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②玻璃纖維制成的晶體載料盒滑過聚丙烯桌面時，易產(chǎn)生10KV靜電。
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③晶片裝配線：晶片5KV,晶片裝料盒35KV,工作服10KV,桌面10KV,有機玻璃蓋8KV,石英晶體1.5KV,晶片托盤6KV
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④光刻間塑料地面500V-1000V,金屬網(wǎng)格地面也是500V-1000V,擴散間塑料地面500V-1500V瓷磚地面也是500V-1500V,塑料墻面約700V,塑料頂棚0-1000V,鋁板送風(fēng)口，回風(fēng)口500V-1000V,金屬活動皮革椅面500V-3000V
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3.半導(dǎo)體和IC生產(chǎn)線上的靜電危害
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①靜電庫侖力的危害：靜電庫侖國作用下吸附的粉塵、污物，可能帶給元器件，從而增大泄露或造成短路，使性能受損，成品率大大下降。如粉塵粒徑〉100微米，鋁線寬度約100微米，薄膜厚度在50微米以下時，最易使產(chǎn)品報廢，這種情形多發(fā)生在腐蝕清洗、光刻、點焊和封裝等工藝過程中
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②靜電放電引起的危害：如有數(shù)千、數(shù)萬伏的高電位物體發(fā)生脈沖刷形放電或火花放電時，瞬間會有很高的放電電流流向大地時，形成脈沖狀的電流峰位在20A,造成可觀的影響，靜電放電（ESD）還伴隨著電磁波發(fā)射，會引起種種危害。
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A、MOSIC等半導(dǎo)體器件將被靜電放電（ESD）擊穿或半擊穿。 MOS場效應(yīng)管其柵極是從氧化膜引出，柵極與襯底間是隔著一層氧化膜，當(dāng)柵極與襯底間的電壓超過一定值，氧化膜便被擊穿，如果MOSIC,則全部報廢了當(dāng)施加電壓于天UB=50-100V,氧化膜便會被擊穿，因為柵極電容很小（約幾個微微法）,輸入阻搞很高（約1014Ω以上）,這樣，少量的電荷就會產(chǎn)生很高電壓，電荷也很難匯漏，只要大于50V（無保護(hù)）就會燒毀，所以，只要人手一摸柵極，元件就壞了，因為人帶電超過50V是平常事。
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我們可以了解到集成電路對靜電敏感性，各種芯片不同之處在于所能承受的耐靜電壓值不同。實際工用條件中，幾乎20V的靜電壓直接接觸器件就足以毀壞或降低性能。
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B、組裝中要損壞元器件，或造成電子儀器設(shè)備故障或誤動作。
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靜電放電損壞元器件使整塊印刷電路板失去作用，造成經(jīng)濟損失；
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靜電放電的噪聲引起機器設(shè)備的誤動作或故障一間接放電影響，電容放電測得結(jié)果，除產(chǎn)生瞬間脈沖大電流外，還會產(chǎn)生跨越數(shù)兆赫茲，甚至數(shù)百赫茲的強大噪聲。近年來，靜電放電噪聲引起計算機誤動作的基礎(chǔ)研究取得很大進(jìn)展。
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放電時產(chǎn)生的電磁波進(jìn)入接收機后，會產(chǎn)生雜音，干擾信號從而降低信息質(zhì)量，或引起信息誤碼。
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4.對電子設(shè)備生產(chǎn)過程的靜電危害
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整機生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)都會遭遇靜電破壞。主要環(huán)節(jié)包括：器件的采購運輸；器件進(jìn)廠檢驗、驗收；器件儲存、領(lǐng)料；器件插裝、焊接；產(chǎn)品組裝、檢驗；產(chǎn)品包裝，發(fā)貨。
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除電子元件、電子設(shè)備生產(chǎn)過程中受到靜電破壞外，就是在產(chǎn)品使用過程中，也會受到靜電的危害。歸納起來，靜電引起的危害足以造成電子器件和電子設(shè)備性能失調(diào)，其對電子器件、設(shè)備危害的狀況不容忽視。
消除靜電相關(guān)產(chǎn)品：超聲波加濕器
